Антава

IXYS

Транзистор IXTK20N150

IXTK20N150
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.5 kV
Drain current
20 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK20N150
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.5 kV
Drain current20 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусTO264
On-state resistance1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge215nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.1µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us

Документация

Документ производителя