Антава

IXYS

Транзистор IXTK200N10P

IXTK200N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
200 A
Power dissipation
800 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK200N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current200 A
Power dissipation800 W
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge240nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264

Документация

Документ производителя