Антава

IXYS

Транзистор IXTK200N10L2

IXTK200N10L2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Linear L2™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
200 A
Power dissipation
1.04 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTK200N10L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияLinear L2™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current200 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge540nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time245ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W

Документация

Документ производителя