Антава

IXYS

Транзистор IXTK180N15P

IXTK180N15P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
180 A
Power dissipation
800 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTK180N15P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current180 A
Power dissipation800 W
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge240nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264

Документация

Документ производителя