Антава

IXYS

Транзистор IXTK17N120L

IXTK17N120L
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
17A
Power dissipation
700W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK17N120L
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current17A
Power dissipation700W
КорпусTO264
On-state resistance0.9Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge155nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time1.83µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us

Документация

Документ производителя