Антава

IXYS

Транзистор IXTK150N15P

IXTK150N15P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
150 A
Power dissipation
714 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK150N15P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current150 A
Power dissipation714 W
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.19µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO264

Документация

Документ производителя