Антава

IXYS

Транзистор IXTK120P20T

IXTK120P20T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200V
Drain current
-120A
Power dissipation
1.04kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK120P20T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200V
Drain current-120A
Power dissipation1.04kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±15V
On-state resistance30mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge740nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W

Документация

Документ производителя