Антава

IXYS

Транзистор IXTK120N65X2

IXTK120N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
120 A
Power dissipation
1.25 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK120N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияX2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current120 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусTO264
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge230nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time505ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264

Документация

Документ производителя