Антава

IXYS

Транзистор IXTK120N25P

IXTK120N25P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
120A
Power dissipation
700W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK120N25P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current120A
Power dissipation700W
КорпусTO264
Gate-source voltage±20V
On-state resistance24mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264

Документация

Документ производителя