Антава

IXYS

Транзистор IXTK102N65X2

IXTK102N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
102A
Power dissipation
1.04kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTK102N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current102A
Power dissipation1.04kW
КорпусTO264
On-state resistance30mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge152nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time450ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns

Документация

Документ производителя