Антава

IXYS

Транзистор IXTJ6N150

IXTJ6N150
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.5 kV
Drain current
3 A
Power dissipation
125 W
Корпус
ISO247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTJ6N150
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.5 kV
Drain current3 A
Power dissipation125 W
КорпусISO247™
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance3.85 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge67nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time1.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us

Документация

Документ производителя