Антава

IXYS

Транзистор IXTH96P085T

IXTH96P085T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-85V
Drain current
-96A
Power dissipation
298W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH96P085T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-85V
Drain current-96A
Power dissipation298W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±15V
On-state resistance13mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time55ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3

Документация

Документ производителя