Антава

IXYS

Транзистор IXTH96N20P

IXTH96N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
96A
Power dissipation
600W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH96N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current96A
Power dissipation600W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance24mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge145nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time160ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO247-3

Документация

Документ производителя