Антава

IXYS

Транзистор IXTH88N30P

IXTH88N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
88A
Power dissipation
600W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH88N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current88A
Power dissipation600W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance40mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3

Документация

Документ производителя