Антава

IXYS

Транзистор IXTH88N15

IXTH88N15
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
88 A
Power dissipation
400 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH88N15
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current88 A
Power dissipation400 W
КорпусTO247-3
On-state resistance22 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 88A; 400W; TO247-3; 150ns

Документация

Документ производителя