Антава

IXYS

Транзистор IXTH86N25T

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Drain-source voltage
250 V
Drain current
86 A
Power dissipation
540 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH86N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Drain-source voltage250 V
Drain current86 A
Power dissipation540 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage30 V
On-state resistance37 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge105nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time156ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; 250V; 86A; 540W; TO247-3; 156ns

Документация

Документы пока не предоставлены.