Антава

IXYS

Транзистор IXTH80N20L

IXTH80N20L
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
520 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH80N20L
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность520 W
КорпусTO247-3
On-state resistance32 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO247-3; 250ns

Документация

Документ производителя