Антава

IXYS

Транзистор IXTH76P10T

IXTH76P10T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-76 A
Рассеиваемая мощность
298 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 158 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 810,65 ₽

Сумма · с НДС 22%1 810,65 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 810,65 ₽
от 31 623,21 ₽
от 51 499,50 ₽
от 101 317,68 ₽
от 301 092,76 ₽
от 601 055,27 ₽
от 1201 029,03 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTH76P10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-76 A
Рассеиваемая мощность298 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge197nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time70ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns

Документация

Документ производителя