Антава

IXYS

Транзистор IXTH76N25T

IXTH76N25T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
76 A
Power dissipation
460 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH76N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current76 A
Power dissipation460 W
КорпусTO247-3
On-state resistance44 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge92nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time148ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO247-3; 148ns

Документация

Документ производителя