Антава

IXYS

Транзистор IXTH6N150

IXTH6N150
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.5kV
Drain current
6A
Power dissipation
540W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH6N150
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.5kV
Drain current6A
Power dissipation540W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge67nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 6A; 540W; TO247-3; 1.5us

Документация

Документ производителя