Антава

IXYS

Транзистор IXTH6N120

IXTH6N120
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
6A
Power dissipation
300W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH6N120
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current6A
Power dissipation300W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time850ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3; 850ns

Документация

Документ производителя