Антава

IXYS

Транзистор IXTH6N100D2

IXTH6N100D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
6A
Power dissipation
300W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH6N100D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current6A
Power dissipation300W
КорпусTO247-3
On-state resistance2.2Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time41ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO247-3; 41ns

Документация

Документ производителя