Антава

IXYS

Транзистор IXTH64N10L2

IXTH64N10L2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
64 A
Power dissipation
357 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH64N10L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current64 A
Power dissipation357 W
КорпусTO247-3
On-state resistance32 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.1µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time180ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO247-3; 180ns

Документация

Документ производителя