Антава

IXYS

Транзистор IXTH60N20X4

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
X4-Class
Polarisation
N
Drain-source voltage
200 V
Drain current
60 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH60N20X4
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияX4-Class
PolarisationN
Drain-source voltage200 V
Drain current60 A
Power dissipation250 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage20 V
On-state resistance21 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge33nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time110ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X4-Class; N; 200V; 60A; 250W; TO247-3; 110ns

Документация

Документы пока не предоставлены.