Антава

IXYS

Транзистор IXTH58N25L2

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
250V
Drain current
58A
Power dissipation
540W
Корпус
TO247-3
Gate-source voltage
20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH58N25L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage250V
Drain current58A
Power dissipation540W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage20V
On-state resistance64mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 58A; 540W; TO247-3; 400ns

Документация

Документы пока не предоставлены.