Антава

IXYS

Транзистор IXTH52P10P

IXTH52P10P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-52 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 134 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 055,25 ₽

Сумма · с НДС 22%2 055,25 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 055,25 ₽
от 31 831,11 ₽
от 101 464,51 ₽
от 301 179,58 ₽
от 601 073,21 ₽
от 1201 014,33 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTH52P10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-52 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3

Документация

Документ производителя