Антава

IXYS

Транзистор IXTH52N65X

IXTH52N65X
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
52A
Power dissipation
660W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH52N65X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current52A
Power dissipation660W
КорпусTO247-3
On-state resistance68mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge113nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time435ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 52A; 660W; TO247-3; 435ns

Документация

Документ производителя