Антава

IXYS

Транзистор IXTH50P10

IXTH50P10
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-50A
Power dissipation
300W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH50P10
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-50A
Power dissipation300W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance55mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time180ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns

Документация

Документ производителя