Антава

IXYS

Транзистор IXTH50N30L2

IXTH50N30L2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
50A
Power dissipation
540W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH50N30L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current50A
Power dissipation540W
КорпусTO247-3
On-state resistance72mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge330nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time430ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 540W; TO247-3; 430ns

Документация

Документ производителя