Антава

IXYS

Транзистор IXTH44P15T

IXTH44P15T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150V
Drain current
-44A
Power dissipation
298W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH44P15T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150V
Drain current-44A
Power dissipation298W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±15V
On-state resistance65mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge175nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time140ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns

Документация

Документ производителя