Антава

IXYS

Транзистор IXTH3N120

IXTH3N120
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
3A
Power dissipation
200W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH3N120
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current3A
Power dissipation200W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge42nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time700ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO247-3; 700ns

Документация

Документ производителя