Антава

IXYS

Транзистор IXTH3N100P

IXTH3N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
3 A
Power dissipation
125 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH3N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current3 A
Power dissipation125 W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge36nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time820ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns

Документация

Документ производителя