Антава

IXYS

Транзистор IXTH360N055T2

IXTH360N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55V
Drain current
360A
Power dissipation
935W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH360N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55V
Drain current360A
Power dissipation935W
КорпусTO247-3
On-state resistance2.4mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge330nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time78ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns

Документация

Документ производителя