Антава

IXYS

Транзистор IXTH32P20T

IXTH32P20T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200V
Drain current
-32A
Power dissipation
300W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH32P20T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200V
Drain current-32A
Power dissipation300W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±15V
On-state resistance0.13Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time190ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns

Документация

Документ производителя