Антава

IXYS

Транзистор IXTH30N25L2

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
250 V
Drain current
30 A
Power dissipation
355 W
Корпус
TO247-3
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH30N25L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage250 V
Drain current30 A
Power dissipation355 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage20 V
On-state resistance0.14 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge130nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time315ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 30A; 355W; TO247-3; 315ns

Документация

Документы пока не предоставлены.