Антава

IXYS

Транзистор IXTH2N300P3HV

IXTH2N300P3HV
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
3 kV
Drain current
2 A
Power dissipation
520 W
Корпус
TO247HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH2N300P3HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage3 kV
Drain current2 A
Power dissipation520 W
КорпусTO247HV
On-state resistance21 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge73nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 2A; 520W; TO247HV; 400ns

Документация

Документ производителя