Антава

IXYS

Транзистор IXTH2N150

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1.5kV
Drain current
2A
Power dissipation
170W
Корпус
TO247-3
Gate-source voltage
30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH2N150
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1.5kV
Drain current2A
Power dissipation170W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage30V
On-state resistance9.2Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge28nC
Reverse recovery time377ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.5kV; 2A; 170W; TO247-3; 377ns

Документация

Документы пока не предоставлены.