Антава

IXYS

Транзистор IXTH260N055T2

IXTH260N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
260 A
Power dissipation
480 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH260N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current260 A
Power dissipation480 W
КорпусTO247-3
On-state resistance3.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time60ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns

Документация

Документ производителя