Антава

IXYS

Транзистор IXTH20N65X

IXTH20N65X
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
20 A
Power dissipation
320 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH20N65X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current20 A
Power dissipation320 W
КорпусTO247-3
On-state resistance0.21 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge35nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time0.35µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns

Документация

Документ производителя