Антава

IXYS

Транзистор IXTH200N10T

IXTH200N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
200 A
Power dissipation
550 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH200N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current200 A
Power dissipation550 W
КорпусTO247-3
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge152nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time76ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns

Документация

Документ производителя