IXYS

Транзистор IXTH1R4N250P3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 2.5kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 195W
Корпус: TO247AD
On-state resistance: 28Ω

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IXTH1R4N250P3
Производитель	IXYS
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	2.5kV
Drain current	1.4A
Power dissipation	195W
Корпус	TO247AD
On-state resistance	28Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	33nC
Reverse recovery time	1.8µs

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 2.5kV; 1.4A; 195W; TO247AD; 1.8us

Документация

Документы пока не предоставлены.