Антава

IXYS

Транзистор IXTH1N170DHV

IXTH1N170DHV
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
1 A
Power dissipation
290 W
Корпус
TO247HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH1N170DHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current1 A
Power dissipation290 W
КорпусTO247HV
On-state resistance16 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time30ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO247HV; 30ns

Документация

Документ производителя