Антава

IXYS

Транзистор IXTH16P60P

IXTH16P60P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-600V
Drain current
-16A
Power dissipation
460W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH16P60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-600V
Drain current-16A
Power dissipation460W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance720mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge92nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time440ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3

Документация

Документ производителя