Антава

IXYS

Транзистор IXTH160N15T

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
150 V
Drain current
160 A
Power dissipation
830 W
Корпус
TO247-3
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH160N15T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage150 V
Drain current160 A
Power dissipation830 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage30 V
On-state resistance9.6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge160nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time115ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 150V; 160A; 830W; TO247-3; 115ns

Документация

Документы пока не предоставлены.