Антава

IXYS

Транзистор IXTH160N10T

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
N
Drain-source voltage
100 V
Drain current
160 A
Рассеиваемая мощность
430 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH160N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
PolarisationN
Drain-source voltage100 V
Drain current160 A
Рассеиваемая мощность430 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage30 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge132nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 160A; 430W; TO247-3; 100ns

Документация

Документы пока не предоставлены.