Антава

IXYS

Транзистор IXTH12N65X2

IXTH12N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
12 A
Power dissipation
180 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH12N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияX2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current12 A
Power dissipation180 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge17.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time270ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3

Документация

Документ производителя