Антава

IXYS

Транзистор IXTH12N150

IXTH12N150
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.5kV
Drain current
12A
Power dissipation
890W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH12N150
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.5kV
Drain current12A
Power dissipation890W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge106nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.2µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO247-3; 1.2us

Документация

Документ производителя