Антава

IXYS

Транзистор IXTH12N100L

IXTH12N100L
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
12 A
Power dissipation
400 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH12N100L
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current12 A
Power dissipation400 W
КорпусTO247-3
On-state resistance1.3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge155nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time1µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us

Документация

Документ производителя