Антава

IXYS

Транзистор IXTH120P065T

IXTH120P065T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-65V
Drain current
-120A
Power dissipation
298W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH120P065T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-65V
Drain current-120A
Power dissipation298W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±15V
On-state resistance10mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time53ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns

Документация

Документ производителя