Антава

IXYS

Транзистор IXTH11P50

IXTH11P50
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-500 V
Drain current
-11 A
Power dissipation
300 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 56 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 894,41 ₽

Сумма · с НДС 22%2 894,41 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 894,41 ₽
от 32 471,25 ₽
от 52 286,94 ₽
от 102 070,66 ₽
от 301 835,57 ₽
от 601 773,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTH11P50
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-500 V
Drain current-11 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.75 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge145nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time0.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns

Документация

Документ производителя